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제품 정보

요약

덴카 알 싱크 (Al-SiC MMC 타입)은 Al-SiC 등의 알루미늄과 세라믹의 복합 재료 (MMC), 낮은 열팽창, 열전도, 고강도, 경량 등을 겸비한 우수한 소재입니다. 세라믹이나 Al 합금, Cu / Mo 합금 등의 금속 재료의 대체 소재로 주목 받고 있습니다.

특징

Al-SiC는 알루미나 (Al2O 3 )에 가까운 열팽창 률, 질화 알루미늄 (AlN)와 동등의 열전도율을 겸비 열 대책에 최적의 소재입니다. 세라믹의 종류와 함량 선정하여 물성 조절도 가능합니다. 고강도, 고 강성, 경량 구조 부재로 사용할 수 있습니다.

용도

  • IGBT와 다이오드 등의 고 신뢰성이 요구되는 파워 모듈베이스 판 (방열판)
  • CPU 등의 반도체 패키지 용 방열 리드 (히트 스프레더)
  • 빛 · 통신 관련 기기 등의 마이크로파 장치 용 부품
  • 반도체 나 액정 패널 등의 제조 장치 용 부품

특성

아루신쿠는 MMC의 표면을 10 ~ 150μm의 Al 합금 층으로 덮은 구조로하는 것으로, 양호한 가공성 및 도금 성을 실현하고 있습니다.

제품 사양 기본 물성

물성 비교



덴카 알 싱크 (Al-Diamond MMC 타입)

제품 정보

요약

덴카 알 싱크 (Al-Diamond MMC 타입)은 알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저 팽창, 초 고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재입니다. GaN 반도체 방열 부재 용 중심으로 주목 받고 있습니다.

특징

  • 경량 : 무게는 구리베이스 플레이트의 1/3 이하
  • 고 열전도율 : 500W / m K와 구리베이스 플레이트 이상의 열전도율
  • GaN 반도체의 방열에 최적
  • 구리 합금 재료 (Cu / W, Cu / Mo 등)의 대체에 적합하며, 더욱 높은 성능을 기대할 수 있습니다.

용도

의료 기기, 통신 위성 용 고주파 장치의 방열 부재

특성

1. 대표 물성치

ItemTypical data
다이아몬드 함유율
Diamond content (Vol %)
57
밀도
Density (g / cm 3 )
3.17
열전도율
Thermal conductivity (W / mK)
500
비열
Specific heat (J / g · K)
0.62
열팽창 계수
Coefficient of thermal expansion (10 -6 / K)
7.5
항절 강도
Flexural strength (MPa)
300
영률
Young ‘s modulus (GPa)
340
융점
Melting point (℃)
570

2. 아루신쿠 (아루신쿠 (Al-Diamond MMC 타입) 충돌 재료 비교표

열전도율
(W / mK)
열팽창 계수
(× 10 -6 / K)
가공성
Al-Diamond≧ 5007.5OK
Cu39017Very good
Mo1595.1Good
W1674.5medium
Al-SiC160 ~ 2505-9medium
Cu / Mo (85 %)1607.0medium
Cu / Mo / Cu (30)2107.2medium
Cu / W (85 %)1907.2medium
Super CMC260 ~ 3706.5 ~ 10medium

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