제품 정보
요약
덴카 알 싱크 (Al-SiC MMC 타입)은 Al-SiC 등의 알루미늄과 세라믹의 복합 재료 (MMC), 낮은 열팽창, 열전도, 고강도, 경량 등을 겸비한 우수한 소재입니다. 세라믹이나 Al 합금, Cu / Mo 합금 등의 금속 재료의 대체 소재로 주목 받고 있습니다.
특징
Al-SiC는 알루미나 (Al2O 3 )에 가까운 열팽창 률, 질화 알루미늄 (AlN)와 동등의 열전도율을 겸비 열 대책에 최적의 소재입니다. 세라믹의 종류와 함량 선정하여 물성 조절도 가능합니다. 고강도, 고 강성, 경량 구조 부재로 사용할 수 있습니다.
용도
- IGBT와 다이오드 등의 고 신뢰성이 요구되는 파워 모듈베이스 판 (방열판)
- CPU 등의 반도체 패키지 용 방열 리드 (히트 스프레더)
- 빛 · 통신 관련 기기 등의 마이크로파 장치 용 부품
- 반도체 나 액정 패널 등의 제조 장치 용 부품
특성
아루신쿠는 MMC의 표면을 10 ~ 150μm의 Al 합금 층으로 덮은 구조로하는 것으로, 양호한 가공성 및 도금 성을 실현하고 있습니다.
제품 사양 기본 물성
물성 비교
덴카 알 싱크 (Al-Diamond MMC 타입)
제품 정보
요약
덴카 알 싱크 (Al-Diamond MMC 타입)은 알루미늄과 다이아몬드로 이루어진 복합 재료 (MMC), 저 팽창, 초 고열 전도 (> 500W / m K), 고강도, 경량 등을 겸비한 매우 우수한 소재입니다. GaN 반도체 방열 부재 용 중심으로 주목 받고 있습니다.
특징
- 경량 : 무게는 구리베이스 플레이트의 1/3 이하
- 고 열전도율 : 500W / m K와 구리베이스 플레이트 이상의 열전도율
- GaN 반도체의 방열에 최적
- 구리 합금 재료 (Cu / W, Cu / Mo 등)의 대체에 적합하며, 더욱 높은 성능을 기대할 수 있습니다.
용도
의료 기기, 통신 위성 용 고주파 장치의 방열 부재
특성
1. 대표 물성치
| Item | Typical data |
|---|---|
| 다이아몬드 함유율 Diamond content (Vol %) | 57 |
| 밀도 Density (g / cm 3 ) | 3.17 |
| 열전도율 Thermal conductivity (W / mK) | 500 |
| 비열 Specific heat (J / g · K) | 0.62 |
| 열팽창 계수 Coefficient of thermal expansion (10 -6 / K) | 7.5 |
| 항절 강도 Flexural strength (MPa) | 300 |
| 영률 Young ‘s modulus (GPa) | 340 |
| 융점 Melting point (℃) | 570 |
2. 아루신쿠 (아루신쿠 (Al-Diamond MMC 타입) 충돌 재료 비교표
| 열전도율 (W / mK) | 열팽창 계수 (× 10 -6 / K) | 가공성 | |
|---|---|---|---|
| Al-Diamond | ≧ 500 | 7.5 | OK |
| Cu | 390 | 17 | Very good |
| Mo | 159 | 5.1 | Good |
| W | 167 | 4.5 | medium |
| Al-SiC | 160 ~ 250 | 5-9 | medium |
| Cu / Mo (85 %) | 160 | 7.0 | medium |
| Cu / Mo / Cu (30) | 210 | 7.2 | medium |
| Cu / W (85 %) | 190 | 7.2 | medium |
| Super CMC | 260 ~ 370 | 6.5 ~ 10 | medium |